【原創(chuàng)】大為創(chuàng)芯：DRAM Q3有望反彈，但NAND Flash反彈有難度

(資料圖)

作者：張國斌、曾思敏

當(dāng)一個(gè)市場(chǎng)處于下行趨勢(shì)時(shí)，需要有新的刺激，才能改變市場(chǎng)的走勢(shì)，在經(jīng)歷近一年大幅下跌之后 ，有哪些行業(yè)將給存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)注入新的活力，改變其走勢(shì)呢？在近日的2023CFMS閃存峰會(huì)上，深圳市大為創(chuàng)新科技股份有限公司(股票代碼：002213，下稱“大為股份”)旗下存儲(chǔ)業(yè)務(wù)子公司深圳市大為創(chuàng)芯微電子科技有限公司（下稱“大為創(chuàng)芯”）首席技術(shù)官陳宗廷在接受電子創(chuàng)新網(wǎng)等媒體采訪時(shí)指出，他認(rèn)為人工智能、新能源汽車等將帶動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng)反彈。

“人工智能應(yīng)用主要分為四個(gè)流程，感知、運(yùn)算、學(xué)習(xí)和生成。運(yùn)算跟學(xué)習(xí)會(huì)用到非常多的存儲(chǔ)，尤其是在學(xué)習(xí)的過程中，因?yàn)橐岩阎馁Y料跟算法分別歸類去做儲(chǔ)存，所以對(duì)存儲(chǔ)需求很大，這也是大為創(chuàng)芯積極在布局的市場(chǎng)，亦是大為創(chuàng)芯的優(yōu)勢(shì)領(lǐng)域，如人臉辨識(shí)、智能家居，都是貼近消費(fèi)者的產(chǎn)品，這個(gè)領(lǐng)域是大為創(chuàng)芯有成熟產(chǎn)品的領(lǐng)域?！彼忉屨f，“存儲(chǔ)市場(chǎng)，2022年其實(shí)就已經(jīng)很低迷，整個(gè)的供給是大于需求的。但是如果反過來看，DRAM各廠家已經(jīng)確定減產(chǎn)了，所以在23年的三季度DRAM會(huì)到達(dá)一個(gè)供需平衡，然后年底有機(jī)會(huì)反彈?！?/p>

不過他認(rèn)為NAND Flash反彈有難度，因?yàn)镹AND flash早就已經(jīng)供給大于需求了，而且隨著新制程的推出，整個(gè)flash市場(chǎng)比較難達(dá)到一個(gè)供需平衡。 不過，數(shù)字化推動(dòng)數(shù)據(jù)中心興起，在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，DRAM跟SSD 的需求量是非常龐大的。所以在國內(nèi)數(shù)據(jù)中心帶動(dòng)下，會(huì)不會(huì)讓整個(gè)國內(nèi)市場(chǎng)觸底反彈？他認(rèn)為2023年Q4也許有機(jī)會(huì)。

此外，他認(rèn)為在新能源車的帶動(dòng)下，車用存儲(chǔ)器也會(huì)反彈。而隨著chatGPT走熱，也會(huì)用到大量的內(nèi)存條和SSD，甚至延伸到消費(fèi)者終端的嵌入式產(chǎn)品里。

他表示針對(duì)這樣的趨勢(shì)，大為創(chuàng)芯為數(shù)據(jù)中心規(guī)劃了DDR5內(nèi)存條，產(chǎn)品有望陸續(xù)在2023年第四季度和2024年第一季度量產(chǎn)。在新能源汽車領(lǐng)域，大為創(chuàng)芯會(huì)推出新能源汽車專用的DRAM(Low Power DDR/DDR)、eMMC等寬溫級(jí)產(chǎn)品，布局汽車輔助駕駛360環(huán)視領(lǐng)域，目前已經(jīng)有客戶群。

從技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)來看，PC市場(chǎng)內(nèi)存條已經(jīng)從DDR4向DDR5迭代，網(wǎng)通產(chǎn)品也普及了DDR4，而嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品今年有望從DDR3升級(jí)到DDR4。一方面原因是DDR3減產(chǎn)導(dǎo)致供給不足，消費(fèi)者對(duì)存儲(chǔ)性能要求提升；另一方面，去年疫情影響了消費(fèi)信心，運(yùn)營商支出縮減，導(dǎo)致DDR4推廣進(jìn)程被推遲。

“大為創(chuàng)芯會(huì)將DDR3和DDR4作為今年推廣重點(diǎn)?！标愖谕⒈硎?，“今年公司嵌入式存儲(chǔ)的重點(diǎn)還是以網(wǎng)通為應(yīng)用中心，配合大為股份智能終端事業(yè)板塊的發(fā)展?！?/p>

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