Vishay推出最新第四代600 V E系列MOSFET器件，RDS(ON)*Qg FOM僅為2.8 Ω*nC，達到業(yè)內(nèi)先進水平

超級結(jié)器件降低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，提高通信、服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用能效

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 溝道SiHK045N60E導(dǎo)通電阻比前一代600?V E系列MOSFET低27 %，為通信、服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心電源應(yīng)用提供了高效解決方案，同時實現(xiàn)柵極電荷下降60 %。從而使其柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積在同類器件中達到業(yè)內(nèi)先進水平，該參數(shù)是600 V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的關(guān)鍵指標（FOM）。

Vishay豐富的MOSFET技術(shù)全面支持功率轉(zhuǎn)換過程，涵蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各種新型電子系統(tǒng)。隨著SiHK045N60E的推出以及即將發(fā)布的第四代600 V E系列產(chǎn)品，公司可在電源系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計初期滿足提高能效和功率密度的要求——包括功率因數(shù)校正和硬切換AC/DC轉(zhuǎn)換器拓撲結(jié)構(gòu)。

SiHK045N60E采用Vishay最新高能效E系列超級結(jié)技術(shù)，10 V下典型導(dǎo)通電阻僅為0.043 Ω，超低柵極電荷下降到65 nC。器件的FOM為2.8 Ω*nC，比同類接近的MOSFET競品器件低3.4 %。SiHK045N60E有效輸出電容C_o(er) 為117 pF，有助于改善開關(guān)性能。這些性能參數(shù)意味著降低了傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，從而達到節(jié)能效果。SiHK045N60E結(jié)殼熱阻R_thJC為0.45 C/W，比接近的競品器件低11.8 %，具有更加出色的熱性能。

該器件采用PowerPAK^?10x12封裝，符合RoHS標準，無鹵素，可承受雪崩模式下過壓瞬變，并保證極限值100 %通過UIS測試。

SiHK045N60E現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn)，供貨信息可與當?shù)豓ishay銷售代表聯(lián)系或發(fā)送電子郵件至hvm@vishay.com。

VISHAY簡介

Vishay 是全球最大的分立半導(dǎo)體和無源電子元件系列產(chǎn)品制造商之一，這些產(chǎn)品對于汽車、工業(yè)、計算、消費、通信、國防、航空航天和醫(yī)療市場的創(chuàng)新設(shè)計至關(guān)重要。服務(wù)于全球客戶，Vishay承載著科技基因——The DNA of tech.?。Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1,000 強企業(yè)”。有關(guān)Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。

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