全球快報:東芝推出面向更高效工業(yè)設備的第三代SiC MOSFET

該系列產(chǎn)品包含1200V和650V兩種規(guī)格－

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET^[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著降低開關損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，已于今日開始出貨。

新產(chǎn)品的單位面積導通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%^[3]，從而使“漏源導通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大約80%^[4]，這是體現(xiàn)導通損耗與開關損耗間關系的重要指標。這樣可以將開關損耗減少大約20%^[5]，同時降低導通電阻和開關損耗。因此，新產(chǎn)品有助于提高設備效率。

(資料圖片僅供參考)

東芝將進一步壯大其功率器件產(chǎn)品線，強化生產(chǎn)設施，并通過提供易于使用的高性能功率器件，努力實現(xiàn)碳中和經(jīng)濟。

應用：

-??? 開關電源（服務器、數(shù)據(jù)中心、通信設備等）

-??? 電動汽車充電站

-??? 光伏變頻器

-??? 不間斷電源（UPS）

特性：

-??? 單位面積導通電阻低（RDS(ON)A）

-??? 低漏源導通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）

-??? 低二極管正向電壓：VDSF＝-1.35V（典型值）@VGS＝-5V

主要規(guī)格：

（除非另有說明，Ta＝25℃）

注：

[1] 通過采用為第二代SiC MOSFET開發(fā)的內置肖特基勢壘二極管的架構，東芝開發(fā)出一種可降低單位面積導通電阻（RDS(ON)A），同時降低JFET區(qū)域反饋電容的器件架構。

[2] MOSFET：金屬氧化物半導體場效應晶體管。

[3] 當?shù)诙鶶iC MOSFET的RDS(ON)A被設為1時，與新款1200V SiC MOSFET比較。東芝調研。

[4] 當?shù)诙鶶iC MOSFET的RDS(ON)*Qgd被設為1時，與新款1200V SiC MOSFET比較。東芝調研。

[5] 新款1200V SiC MOSFET和第二代SiC MOSFET比較。東芝調研。

如需了解相關新產(chǎn)品的更多信息，請訪問以下網(wǎng)址：

1200V產(chǎn)品

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TW045N120C

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TW060N120C

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TW140N120C

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650V產(chǎn)品

TW015N65C

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SiC功率器件

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SiCMOSFET

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1200V產(chǎn)品

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650V產(chǎn)品

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*本文提及的公司名稱、產(chǎn)品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。

*本文檔中的產(chǎn)品價格和規(guī)格、服務內容和聯(lián)系方式等信息，在公告之日仍為最新信息，但如有變更，恕不另行通知。

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