科技專著《寬禁帶半導(dǎo)體前沿叢書(shū)》出版發(fā)行

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國(guó)內(nèi)首套展示第三代半導(dǎo)體研究成果的系列科技專著——《寬禁帶半導(dǎo)體前沿叢書(shū)》，近日由西安電子科技大學(xué)出版社正式出版發(fā)行。

該叢書(shū)瞄準(zhǔn)世界科技前沿和產(chǎn)業(yè)熱點(diǎn)，反映我國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體研究領(lǐng)域核心科技創(chuàng)新，以服務(wù)國(guó)家重大戰(zhàn)略和學(xué)科發(fā)展需求為宗旨，致力于梳理寬禁帶半導(dǎo)體基礎(chǔ)前沿與核心科學(xué)技術(shù)問(wèn)題，從半導(dǎo)體材料的表征、機(jī)制、應(yīng)用和器件的制備等多個(gè)方面，介紹寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的前沿理論、核心技術(shù)及最新研究進(jìn)展，具有科學(xué)性、創(chuàng)新性和前瞻性，市場(chǎng)需求迫切，填補(bǔ)了寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域系列科技圖書(shū)出版的市場(chǎng)空白。

據(jù)悉，該叢書(shū)由12部專著組成，包括《氮化鎵基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)及二維電子氣》《氮化物半導(dǎo)體準(zhǔn)范德華外延及應(yīng)用》《氮化鎵單晶材料生長(zhǎng)與應(yīng)用》《氮化鋁單晶材料生長(zhǎng)與應(yīng)用》《氮化物半導(dǎo)體太赫茲器件》《氧化鎵半導(dǎo)體器件》《寬禁帶半導(dǎo)體紫外光電探測(cè)器》《寬禁帶半導(dǎo)體核輻射探測(cè)器》《寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵——結(jié)構(gòu)、制備與性能》《金剛石半導(dǎo)體器件前沿技術(shù)》《寬禁帶半導(dǎo)體微結(jié)構(gòu)與光電器件光學(xué)表征》《氮化鎵微波功率器件》等著作。另外，為了生動(dòng)反映彩色插圖的原貌，這套系列叢書(shū)采用了黑白插圖加二維碼彩圖的方式，將全書(shū)的圖文質(zhì)量生動(dòng)展現(xiàn)給讀者。

叢書(shū)編委會(huì)由中國(guó)科學(xué)院郝躍院士、鄭有炓院士、劉明院士、江風(fēng)益院士等多名科學(xué)家領(lǐng)銜，集中了北京大學(xué)、南京大學(xué)、中國(guó)科技大學(xué)等10余所高校、研究所的近40位中青年微電子專家組成。

(西安電子科技大學(xué)宣傳部供圖)

關(guān)鍵詞： 半導(dǎo)體器件 西安電子科技大學(xué) 核輻射探測(cè)器 研究領(lǐng)域