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綠色通道,讓大量電子高速通行

“電子在納米結(jié)構(gòu)中的傳輸是一個‘千軍萬馬過獨木橋’的過程,而我們找出了一條綠色通道。”復(fù)旦大學(xué)物理學(xué)系教授修發(fā)賢這樣介紹他的最新研究成果。

在納米尺寸的導(dǎo)體中運動著的電子,若找不到“寬敞”的通路,相互撞擊,四處“碰壁”,就會使導(dǎo)體發(fā)熱,產(chǎn)生能量損耗。尋找超高導(dǎo)電材料是解決此類問題的一把鑰匙。

近日,修發(fā)賢課題組在砷化鈮納米帶中觀測到其表面態(tài)具有超高電導(dǎo)率,這也是目前二維體系中的最高電導(dǎo)率,其低電子散射幾率的機制源自外爾半金屬特有的電子結(jié)構(gòu)(即費米弧表面態(tài))。相關(guān)研究論文已在國際知名期刊《自然·材料》發(fā)表。

讓大量電子高速通行

正如實心的管子不能通水,空心的管子允許水流過,如果材料中有大量可以參與導(dǎo)電的自由電子,則稱為導(dǎo)體。單位時間內(nèi)通過單位面積的電子數(shù)量,決定了材料導(dǎo)電性的好壞。

銅、金和銀是現(xiàn)行應(yīng)用最廣泛的優(yōu)良導(dǎo)體。其中,銅已經(jīng)大規(guī)模用于晶體管的互連導(dǎo)線。但遺憾的是,當這些材料變得很薄,進入二維尺度時,電子的散射明顯增多,其運動方向容易發(fā)生大角度偏折,導(dǎo)電性將迅速變差。

信息時代,計算機和智能設(shè)備體積越來越小,同時信號傳輸量爆炸式增長,芯片中上千萬細如發(fā)絲的晶體管互連導(dǎo)線“運送壓力”隨之加大,“電流從輸入端進入芯片時,相當于千軍萬馬從大草原一下子上了獨木橋,如果電子在獨木橋上有巨大耗散,芯片運行時就會劇烈發(fā)熱,影響運行狀態(tài)。”修發(fā)賢說,這一定程度上制約著信息領(lǐng)域的進一步發(fā)展。

不用“排隊”,也不會“擁擠”,有沒有一種辦法讓大量電子在這些納米級互連導(dǎo)線中順暢高速通行?“如果能構(gòu)建一條綠色通道就好了!”

導(dǎo)電性千倍于石墨烯

一般來說,增加導(dǎo)電性無非有兩種辦法,一是把電子變多,二是讓電子跑得快些,然而,這兩者很難同時實現(xiàn)。但在外爾半金屬砷化鈮納米帶的表面,不可思議的事情發(fā)生了。修發(fā)賢課題組基于拓撲表面態(tài)(費米弧)的低散射率機制,實現(xiàn)了百倍于金屬銅薄膜和千倍于石墨烯的導(dǎo)電性,這是目前二維體系中最好的。

砷化鈮其實是物理學(xué)家們的“老朋友”了,近幾年作為第一批發(fā)現(xiàn)的外爾半金屬被廣泛研究,但以往成果都止步于肉眼可見的高維度體材料,其低維狀態(tài)下的物理性質(zhì)研究遲遲未有涉及。納米材料的制備是要過的第一道難關(guān)。

“鈮的熔點很高,砷的熔點又特別低,要把這兩種材料融在一起非常難。”高溫加熱“蒸”不出來,半年后,他們改變“硬碰硬”的思路,用氯化鈮和氫氣的化學(xué)反應(yīng)作為鈮的來源,再與砷結(jié)合。氣體流量有多大?溫度有多少?是不是需要催化劑?又經(jīng)過一年多的反復(fù)試驗,納米結(jié)構(gòu)終于長出來了。

寬約幾微米,長約幾十微米,厚度在納米級別,在指甲蓋大小的氧化硅襯底上,分布著百萬個比頭發(fā)絲還要細的納米晶體。課題組從“0”到“1”制備出了高質(zhì)量樣品,這本身已是一項創(chuàng)舉。

《自然·材料》的審稿人對樣品質(zhì)量給出了高度評價:“用于制備砷化鈮納米帶的方法是有趣的、創(chuàng)新的,這是拓撲材料領(lǐng)域的一項非常及時的工作。”“他們生長出了一些非常好的樣品。”

高性能導(dǎo)體材料新思路

在成功制備砷化鈮納米帶之后,修發(fā)賢團隊還不滿足,決意攀登更高的山峰:進一步觀察和發(fā)現(xiàn)材料特性。課題組發(fā)現(xiàn),制備出的新材料有著驚人的高導(dǎo)電率,材料本身既具有很高濃度的電子又具備超高的遷移率。

修發(fā)賢介紹,砷化鈮納米帶的高導(dǎo)電率要歸功于其表面與眾不同的電子結(jié)構(gòu)——具有拓撲保護的表面態(tài)(費米弧),“拓撲保護的表面態(tài)的概念可以這樣理解,就像是家里用的瓷碗外表面鍍了一層金,瓷碗本身不導(dǎo)電,但表面這一層金膜導(dǎo)電。更神奇的是,如果存在拓撲保護,這層金膜被磨掉之后,下面就會自動再出現(xiàn)一層金膜,重新形成導(dǎo)電層。這就是一種由物質(zhì)本身的電子結(jié)構(gòu)決定的拓撲表面態(tài)。”

那么如何得知這種表面態(tài)導(dǎo)致了高的電導(dǎo)率呢?課題組運用了測量低溫量子震蕩的方法,證明了來自費米弧表面態(tài)的電子貢獻了大部分電導(dǎo)率。修發(fā)賢告訴科技日報記者:“砷化鈮中的這種費米弧表面態(tài)具備低散射率的特性,即使在較高電子濃度的情況下,體系仍然保持低散射幾率。這樣就能確保大部分電子都沿一個方向運動,讓電子傳輸?shù)男蚀蟠筇岣摺?rdquo;

和常規(guī)的量子現(xiàn)象不同,費米弧這一特性即使在室溫仍然有效。這一發(fā)現(xiàn)為尋找高性能導(dǎo)體提供了一個可行思路。利用這種特殊的電子結(jié)構(gòu),可以在提高電子數(shù)量的同時,降低電子散射,從而實現(xiàn)優(yōu)異的導(dǎo)電特性,這在降低電子器件能耗等方面有潛在應(yīng)用。(龔凡 王春)

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