華為Mate60Pro搭載的麒麟9000S芯片，性能幾何？

第三代半導(dǎo)體技術(shù)與材料論壇將于2023年9月21-22日在廈門召開，詳見后文

華為智能手機業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人余承東在8月4日舉行的2023華為開發(fā)者大會上介紹更新后的操作系統(tǒng)時表示：“我們鴻蒙生態(tài)走過了這艱難的四年，我們克服了重重困難，回首望去，輕舟已過萬重山，華為的旗艦手機也正走在回歸的道路上?！?/p>

8月29日，華為悄無聲息的扔下了一顆重磅炸彈，華為Mate 60 Pro手機直接上市銷售，并且?guī)е蠹谊P(guān)切的麒麟芯片回歸了，這是自美國制裁以來，華為在智能手機硬件方面的最重要的突破性舉動。

(資料圖片)

華為Mate 60 Pro手機突發(fā)上市，引發(fā)巨大關(guān)注，人們的目光全部聚焦到搭載的這顆芯片及網(wǎng)絡(luò)制式上，華為真的突圍了?這是一部5G手機嗎？麒麟芯片是庫存還是新款？

華為官方渠道并未公布搭載了哪款芯片，系統(tǒng)也進行了隱藏。而眾多用戶稱，使用華為Mate 60 Pro手機不顯示“5G”標(biāo)識，其基帶版本為21C50B717S000C000/21C50B717S000C000，和此前麒麟芯片的命名規(guī)則一致。根據(jù)速度測試，搭載4G芯片的華為Mate X3下載速度為100Mbps，iPhone 14 Pro 5G手機下載速度為500Mbps，令人驚喜的是，華為Mate 60 Pro手機測速顯示也在500Mbps水平，但我們也只能說是速度類似5G，也有可能是速度更快的4G。

據(jù)B站UP主@先看評測視頻顯示，在要求運營商關(guān)閉所謂的5G SA服務(wù)后，華為Mate 60 Pro手機網(wǎng)絡(luò)信號處跳出4G標(biāo)識，而下行速度也降到了三分之一。說明這妥妥就是一臺具備5G速度的手機。

拆機視頻顯示，華為Mate 60 Pro手機的核心SoC芯片顯露出來，絲印清晰顯示“HiSilicon”，海思半導(dǎo)體，它回來了。還有代表麒麟9000型號的“Hi36A0”（但麒麟9000s是不同于麒麟9000的一款新芯片），芯片上還有“2035-CN”標(biāo)識。不過，關(guān)于這顆麒麟芯片制程方面，還不得而知。

在性能方面，華為也帶來了驚喜。

安兔兔公布這款新機的跑分成績?yōu)?699783 分，該成績不包括GPU跑分，GPU 部分由于安兔兔還沒有適配，暫時還無法運行測試。據(jù)安兔兔跑分?jǐn)?shù)據(jù)顯示，華為Mate60 Pro芯片型號為 Kirin 9000s，CPU采用了2+6+4的12核設(shè)計，其中包括兩顆 A34 核心，六顆A78AE核心，以及四顆A510核心，最高主頻2.62GHz；GPU 型號顯示為 Maleoon 910，采用12GB+512GB內(nèi)存，搭載 HarmonyOS4.0系統(tǒng)。安兔兔表示，這款手機搭載的處理器似乎是新的架構(gòu)，上述參數(shù)是以現(xiàn)階段能夠讀取到硬件信息，最終還是要以官方公布的參數(shù)為準(zhǔn)。

另外，根據(jù)Geekbench跑分平臺的數(shù)據(jù)信息顯示，華為Mate60 Pro所搭載的這顆芯片最高主頻為2.62GHz，這一數(shù)據(jù)與安兔兔平臺所公布的數(shù)據(jù)是一致的。單核跑分達到了914分，多核達到了2896分。這個跑分成績與驍龍888相差不大，單核成績略低于驍龍888，多核成績略高于驍龍888。

華為麒麟芯片的回歸，無疑是中國科技行業(yè)的一大喜事。經(jīng)歷了長時間的努力，華為終于成功突破，這對于華為來說，無疑是一份厚重的禮物。

來源：天天IC、新機報告等

以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體是戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的核心材料，在《“十四五”規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要》中被列為重點；碳中和與新能源體系變革的背景下，在風(fēng)電、光伏、新能源汽車、儲能等行業(yè)應(yīng)用前景廣闊。

據(jù)行業(yè)機構(gòu)預(yù)測，到2026年，碳化硅產(chǎn)品市場將達35億美元，氮化鎵功率產(chǎn)品市場需求增長到21億美元。近年來，國內(nèi)企業(yè)如三安、英諾賽科、士蘭明鎵等不斷布局氮化鎵項目，全產(chǎn)業(yè)鏈項目約26個，國外龍頭如英飛凌等也正積極布局。

在碳化硅功率器件市場，受益于特斯拉的應(yīng)用需求，意法半導(dǎo)體領(lǐng)先全球市場；Wolfspeed、安森美和羅姆等廠商跟隨。襯底、外延、芯片三個環(huán)節(jié)技術(shù)含量密集，是投資和創(chuàng)新重點。碳化硅6英寸襯底技術(shù)已經(jīng)穩(wěn)定導(dǎo)入產(chǎn)業(yè)，8英寸襯底正在探索商業(yè)化量產(chǎn)，其中尤以襯底大廠Wolfspeed推進最為迅速，國內(nèi)企業(yè)在提供樣品或小規(guī)模供貨階段。

第三代半導(dǎo)體技術(shù)與材料論壇將于2023年9月21-22日在廈門召開。重點關(guān)注碳化硅、氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈前景，最新襯底、外延、器件技術(shù)與項目投資，碳化硅、氮化鎵長晶技術(shù)，凈化工程與EPC，新興化合物半導(dǎo)體前沿技術(shù)與應(yīng)用。參觀第三代半導(dǎo)體重點企業(yè)與項目。

會議主題包括但不限于

國際形勢對中國第三代半導(dǎo)體發(fā)展的影響

第三代半導(dǎo)體市場及產(chǎn)業(yè)發(fā)展機遇

6寸與8寸SiC項目投資與市場需求

SiC長晶工藝技術(shù)與設(shè)備

凈化工程與EPC工程項目實踐

8英寸SiC國產(chǎn)化進程和技術(shù)突破

SiC市場以及技術(shù)發(fā)展難題&解決方案

SiC與GaN外延片技術(shù)進展

大尺寸GaN長晶難點及技術(shù)展望

GaN材料技術(shù)進展

SiC與GaN器件與下游應(yīng)用

功率器件封裝技術(shù)與材料

新興化合物半導(dǎo)體進展：氧化鎵、氮化鋁、金剛石、氧化鋅

工業(yè)參觀與考察（重點企業(yè)或園區(qū)）

最新日程如下

*以上演講報告列表將隨著會議邀請工作進展不斷更新，最終版以會場發(fā)布為準(zhǔn)。

若您有意向參與演講、贊助或參會，歡迎聯(lián)系我們?。ㄒ娢哪?/p>

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中國大陸上月半導(dǎo)體前道設(shè)備進口數(shù)據(jù)表（月度更新）

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