首頁 資訊 > 研究 > 正文

單軸手性磁體中發(fā)現(xiàn)了磁孤子向磁斯格明子的拓?fù)湎嘧?/h1>


(資料圖片僅供參考)

記者11日從中科院合肥物質(zhì)可續(xù)研究院了解到,該院強(qiáng)磁場中心低功耗量子材料研究團(tuán)隊,利用透射電鏡定量電子全息磁成像技術(shù),在單軸手性磁體中發(fā)現(xiàn)了磁孤子向磁斯格明子的拓?fù)湎嘧?。相關(guān)研究成果日前發(fā)表在《先進(jìn)材料》上。

拓?fù)浯沤Y(jié)構(gòu)是構(gòu)筑新型磁存儲器的基本單元。在手性磁體中,拓?fù)浯沤Y(jié)構(gòu)的形成和自旋構(gòu)型取決于Dzyaloshinskii-Moriya (DM) 相互作用的類型。例如在單軸手性磁體中,會形成周期可調(diào)的磁孤子;在立方非中心對稱的手性磁體中,會形成磁斯格明子或反斯格明子。具有不同自旋構(gòu)型的拓?fù)浯沤Y(jié)構(gòu)之間可以發(fā)生轉(zhuǎn)換,例如斯格明子和麥韌,斯格明子和反斯格明子, 斯格明子和磁泡等。在單一材料中,利用兩種不同類型的拓?fù)浯沤Y(jié)構(gòu)分別存儲二進(jìn)制數(shù)據(jù)“0”和“1”,對于拓?fù)浯糯鎯ζ骷臉?gòu)筑具有實際意義。然而,由于DM作用類型不同,手性磁孤子和斯格明子之間的拓?fù)滢D(zhuǎn)換一直受到限制。

針對這一問題,研究團(tuán)隊利用幾何邊界限域效應(yīng),通過對磁孤子兩端磁結(jié)構(gòu)的調(diào)制,打破了DM作用的限制,在單軸手性磁體中實現(xiàn)了磁孤子向磁斯格明子的拓?fù)湎嘧?。利用透射電鏡電子全息磁成像技術(shù),發(fā)現(xiàn)新形成的斯格明子是長度可調(diào)的,并且上下末端由兩個拓?fù)浜蔀?/2的麥韌組成,拓?fù)浯沤Y(jié)構(gòu)的總拓?fù)浜蔀閱挝?。同時,實驗上也發(fā)現(xiàn)了這一拓?fù)湎嘧兊暮穸纫蕾囆裕砻髋紭O-偶極相互作用在相變過程中發(fā)揮了重要的作用,與微磁模擬的結(jié)果一致。

研究人員表示,這一發(fā)現(xiàn)豐富了拓?fù)浯沤Y(jié)構(gòu)家族,對于構(gòu)筑新型磁電子學(xué)器件具有重要意義。

(中科院合肥研究院供圖)

關(guān)鍵詞:

最近更新

關(guān)于本站 管理團(tuán)隊 版權(quán)申明 網(wǎng)站地圖 聯(lián)系合作 招聘信息

Copyright © 2005-2018 創(chuàng)投網(wǎng) - 670818.com All rights reserved
聯(lián)系我們:39 60 29 14 2@qq.com
皖I(lǐng)CP備2022009963號-3